概要

中微：半导体设备国产化核心力量，5G产业浪潮或将催生成长新机遇

中微是中国半导体设备产业中少数能与全球顶尖企业直接竞争并不断扩大市场份额的公司，持续研发投入、人才储备及激励是公司崛起的重要因素，其产品性价比、售后服务、地缘等方面的本土优势正逐渐显现。我们认为半导体设备需求及订单向上拐点或已到来，2020年行业有望较快成长，新增需求源自5G商用推动全球存储扩产及中国大陆整体晶圆、封测产能扩张，其中刻蚀、薄膜沉积设备受益程度较高，公司作为国产刻蚀设备领军者有望受益。预计2019~2021年EPS为0.34/0.48/0.68，“增持”评级。

技术实力获得海内外一线芯片制造企业认可，国产化优势正在逐步显现

公司刻蚀设备虽在销售规模上与全球巨头尚有差距，但已应用于全球最先进的7nm和5nm产线，近三年主要客户包括台积电、中芯国际、长江存储、海力士、华力微、联华电子等。2019年公司CCP设备成功取得5nm逻辑电路、64层3D NAND制造厂订单，开拓阶段的ICP设备已在某先进客户验证成功并量产，并有机台在数家客户验证。我们认为国产企业实现市场份额上升的关键在于提升设备效率及稳定性、匹配客户工艺要求、持续的研发投入保持技术领先性，客户选择设备商的核心是“性价比”而非“售价”。在与海外设备龙头的竞争中，公司的进口替代优势逐渐显现。

2020年或是半导体设备产业转机之年，公司迎来加速成长的历史契机

受益于5G、AI、IoT产业驱动，2019下半年以来全球/中国半导体销售、主流晶圆厂资本支出及北美半导体设备制造商销售情况均出现不同程度复苏，我认为半导体设备需求及订单向上拐点或已到来。目前中芯国际、长江存储、合肥长鑫等本土领军企业正分别在逻辑电路芯片、3D NAND、DRAM存储芯片领域布局先进制程产能且技术逐步成熟，为国产设备提供了更前沿的验证试用平台和进口替代机会。中国芯片产能逆周期投资为国内设备需求提供了较强成长韧性，其中5G时代本土存储芯片扩产对国产刻蚀设备、薄膜沉积设备需求的拉动或最为显著，公司有望较充分受益。

一、十余年专注发展，构建半导体刻蚀设备+MOCVD设备产业双布局

中微公司是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司，公司专注于集成电路、LED关键制造设备，核心产品包括：1）用于IC集成电路领域的等离子体刻蚀设备（CCP、ICP）、深硅刻蚀设备（TSV）；2）用于LED芯片领域的MOCVD设备。等离子体刻蚀设备包括电容性等离子体刻蚀设备（CCP, Capacitively Coupled Plasma）和电感性等离体刻蚀设备（ICP, Inductively Coupled Plasma）。电容性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。电感性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。MOCVD即金属有机化合物化学气相沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition），MOCVD设备是LED芯片生产过程中的关键设备。

目前公司等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米的集成电路加工制造及先进封装。公司的MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基LED设备制造商。具体进展包括：

• 1）CCP：公司从2004年建立起首先着手开发甚高频去耦合的CCP刻蚀设备Primo D-RIE，到目前为止已成功开发了双反应台Primo D-RIE，双反应台Primo AD-RIE和单反应台的Primo AD-RIE三代刻蚀机产品，涵盖65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。据公司2019中报，2019年公司已成功取得5纳米逻辑电路、64层3D NAND制造厂的订单。
• 2）ICP：公司从2012年开始开发ICP刻蚀设备，到目前为止已成功开发出单反应台的Primo nanova 刻蚀设备，同时着手开发双反应台ICP刻蚀设备。公司的ICP刻蚀设备主要是涵盖14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的刻蚀应用。据公司2019中报，2019年公司继续开拓ICP设备业务，已在某先进客户验证成功并实现量产，并有机台在其他数家客户的生产线上验证。
• 3）TSV：公司还顺应集成电路先进封装和MEMS传感器产业发展的需要，成功开发了电感性深硅刻蚀设备。
• 4）MOCVD：薄膜沉积设备方面，2010年中微公司开始开发用于LED器件加工中最关键的设备——MOCVD设备。公司已开发了三代MOCVD设备，该设备是一种高端薄膜沉积设备，主要用于蓝绿光LED和功率器件等生产加工，包括第一代设备Prismo D-Blue、第二代设备Prismo A7及第三代更大尺寸设备。

公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有35年行业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者。在创办中微公司以前，尹志尧博士于1984年至1986年间供职于英特尔，从事核心技术开发工作；于1986年至1991年间在泛林半导体负责领导若干重点产品的刻蚀技术开发；于1991年至2004年间在应用材料担任高级管理职务，包括企业副总裁、刻蚀产品事业部总经理、亚洲总部首席技术官。尹志尧博士是89项美国专利和200多项其他海内外专利的主要发明人。公司的其他联合创始人、核心技术人员和重要的技术、工程人员，包括杜志游博士、倪图强博士、麦仕义博士、杨伟先生、李天笑先生等160多位各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。

公司目前无控股股东、实际控制人，第一大股东上海创投持股18.02%，第二大股东巽鑫投资持股17.45%，两者持股比例接近。根据公司目前的实际经营管理情况，公司重要决策均属于各方共同参与决策，无实际控制人。截至招股说明书，公司共有境外法人股东6名，境内法人股东20名，自然人股东8名，其中持有公司5%以上（含）股份或表决权的股东，包括上海创投、巽鑫投资、南昌智微、置都投资、中微亚洲、Grenade、Bootes、Futago、悦橙投资、创橙投资、亮橙投资和橙色海岸。公司持有国产半导体薄膜沉积设备制造商——沈阳拓荆14.92%的股权。

二、营收情况

2017年公司刻蚀设备销售有所下降，2018年回归增长趋势。刻蚀设备销售收入和集成电路制造商新建或扩张产能的投资强度、投资节奏和建设周期关联性较强，因行业下游厂商集中度较高，公司销售收入会因少数客户资本性支出规划的变化而出现波动。2016年公司刻蚀设备销量为56腔；2017年受主要客户资本性支出消减的影响，公司刻蚀设备销量下滑至33腔，同比下降41.07%；2018年度，中国大陆集成电路制造商投资持续大幅增长，公司及时重点加大在中国大陆市场的销售力度，刻蚀设备的销售数量回升至71腔，同比增长115.15%，呈现出快速增长的势头。2018年刻蚀设备销售单价同比下降9.02%，主要系公司Primo SSC AD-RIE型号刻蚀设备销售收入有所提升，而该型号刻蚀设备是单腔单反应台，较其它单腔多反应台设备售价相对较低所致。受益于公司长期的技术积累，Prismo A7型号MOCVD设备在2017年以来全面获得客户的认可，销售数量快速增长。2017年和2018年，公司MOCVD设备的销售数量分别为57腔和106腔，同比大幅增长。

近年公司营业收入保持高增长，从2016年的6.10亿元增长至2018年的16.39亿元，年均增长率达64%，主要原因包括：1）全球半导体产业需求不断增长，全球产能中心逐步向中国大陆转移并带动了半导体设备需求增长；2）凭借良好的研究创新能力，公司持续加大研发投入，不断推出新产品，如Prismo A7和Primo AD-RIE-e等，产品线不断升级丰富。3）优质的客户资源和良好市场品牌是公司收入快速增长的重要保障，凭借公司在不断发展过程中积累形成的先进的技术、优质的产品、丰富的行业经验和切实为客户解决问题的售后服务体系，公司与国际及国内领先的半导体制造商建立了良好的合作关系，建立了良好的企业及产品形象。2019年前三季度公司继续延续收入高增长趋势，2019Q1-3收入增速25%。

公司的刻蚀设备下游客户主要是集成电路制造商、半导体封测厂商，定制化程度高，综合毛利率较高。公司的MOCVD设备的下游客户主要是LED芯片制造商，标准化程度相对较高，综合毛利率相对较低。2016~2018年公司刻蚀设备毛利率分别为43.13%、38.37%和47.52%，存在一定波动，主要原因为：1）公司刻蚀设备定制化程度较高，下游客户对规格型号、产品标准、技术参数等方面的要求不尽相同，产品结构和功能存在差异，同类设备价格及相关的毛利率间存在一定的差异；2）为积累先进工艺经验、加强重点客户黏性、帮助其持续改进生产用材料、降低生产成本，公司按行业惯例对使用设备过程中出现略低于客户期望的工艺参数的情况予以补偿并计入当期营业成本，且2017年刻蚀设备营业收入规模较低，导致当年公司刻蚀设备的毛利率同比出现下滑。

随着市场拓展和收入扩张，2016~2018年公司期间费用率有所收缩。2016~2018年销售费用率分别为21.71%、16.66%和13.21%，管理费用率分别为9.38%、8.75%和7.96%。2016~2018年公司财务费用波动主要系受各年公司借款规模变化导致的利息费用波动和汇率变动导致的汇兑收益的波动所致。2016年公司研发投入全额计为研发费用，因此费用率较高，2017、2018年公司依据《企业会计准则》的相关规定将部分符合资本化条件的研发项目进行了资本化处理，研发费用率及期间费用率明显下降。2019Q1-3期间费用率30.08%，与2018年期间费用率29.02%较为接近。

三、研发情况

公司所处的半导体设备行业属于技术密集型行业，具有产品技术升级快、研发投入大、研发周期长、研发风险高等特点。半导体关键设备的研发涉及等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等多种科学技术及工程领域学科知识的综合应用。为了保持技术优势和竞争力，防止技术外泄风险，已掌握先进技术的半导体设备企业通常会通过申请专利等方式设置较高的进入壁垒。公司一贯重视自主知识产权的研发，建立了科学的研发体系及知识产权保护体系。

公司高度重视核心技术的自主创新，坚持走独立自主开发的路线，2016~2018年内累计研发投入10.37亿元，约占同期营业收入的32%。凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研发投入，公司成功研发了具有独创性、先进性和前瞻性的半导体刻蚀设备及薄膜沉积设备，并实现了大规模产业化，积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。在刻蚀设备方面，公司成功开发了低电容耦合线圈技术、等离子体约束技术、双反应台高产出率技术等关键技术。在MOCVD设备方面，公司新开发的Prismo A7设备拥有双区可调控工艺气体喷淋头和带锁托盘驱动技术，以实现优良的波长和厚度均一性指标。

通过核心技术的创新，公司的产品已达到国内领先、国际先进水平。在开发等离子体刻蚀设备和MOCVD设备的过程中，公司坚持走独立自主开发的路线，招募国际和国内一流的技术人才，保持较高的研发投入。公司在设备的研发、设计和制造中始终强调创新和差异化。在电容性等离子体刻蚀设备的开发中，公司在业界开创性地推出甚高频去耦合等离体子刻蚀技术；在电感性等离子体源的开发中，创造性地设计了新型电感线圈架构，较大程度减少电容性耦合引起的不良作用；在MOCVD设备的开发中，设计了精确定位的托盘锁定机制。

公司研发、工程技术人员占比达37%、22%（截至2018年末），产品附加值高，人均产值从2016年的约120万元增长至2018年的约250万元。公司按照电容性等离子体刻蚀设备、电感性等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了分工明确的专业研发团队。截至2018年末，公司共有研发和工程技术人员381名，占员工总数的58%，涵盖了物理、化学、数学、工程技术、特种工程技术等相关学科的专业人员。

四、行业格局

设备制造业是半导体产业的基础，是完成晶圆制造、封装测试环节和实现集成电路技术进步的关键。

全球刻蚀设备市场高度集中，海外龙头仍然占据领先地位

细分领域术业有专攻，全球设备行业龙头各显神通占据世界领先地位。在半导体产业价值链中，光刻机作为产业的核心，占了半导体设备投资较大的份额，其中荷兰ASML公司凭借领先的技术和优秀的产品，在45纳米以下制程的高端光刻机市场中占据大部分以上的市场份额，而在EUV光刻机领域目前处于垄断地位，市占率为100%（业内独家）。应用材料公司在除了光刻领域外的其他核心半导体设备领域有着较强的竞争力，在PVD设备上，应用材料作为行业龙头占据了大部分的市场份额，在CVD和蚀刻设备上应用材料与泛林半导体、东京电子等企业竞争激烈，同时应用材料在CMP、检查和量测（包括半导体、掩摸和光伏）、电镀ALD、离子注入、外延工艺和RTP领域都有涉猎。

刻蚀设备行业集中度较高，泛林半导体占据刻蚀机市场份额半壁江山。随着半导体技术进步中器件互连层数增多，介质刻蚀设备的使用量不断增大，泛林半导体利用其较低的设备成本和相对简单的设计，逐渐在65nm、45nm设备市场超过TEL等企业，占据了全球大半个市场，成为行业龙头。根据TheInformation Network的数据显示，泛林半导体的在刻蚀设备行业的市占率自2012年起逐步提高，从2012年的约45%提升至2017年的约55%，主要替代了东京电子的市场份额，东京电子的市场份额从2012年的30%降至2017年的20%，但仍然保持第二的位置。应用材料始终位于第三，2017年约占19%的市场份额。前三大公司在2017年占据总市场份额的94%，行业集中度高，技术壁垒明显。

国外刻蚀设备巨头公司持续投入较高研发费用，通过自主研发维持竞争力。应用材料受益于公司较大营收规模，研发费用占比相对较低，2009至2018财年研发费用投入占比在12%至20%之间波动，绝对金额由9亿美元提升至20亿美元，研发实力雄厚。泛林半导体和东京电子2009财年至2018财年研发费用投入占比均在10%以上，占比较高年份达到15%以上。东京电子2012~2017年研发费用呈下降趋势，研发竞争力有所减退，市场份额不断被拉姆研究抢夺。根据TheInformation Network的数据，东京电子自2012至2017五年内刻蚀设备市场份额下降约10个百分点。

以中微为代表的国产刻蚀设备企业奋起直追，进口替代历史机遇到来

中国半导体设备的进口依赖问题仍然较为严重，2018年国产化率仅为13%。半导体装备业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒，由于我国半导体设备产业整体起步较晚，目前国产规模仍然较小。据中国电子专用设备工业协会的统计数据，2018年国产半导体设备销售额为109亿元，自给率约为13%。中国电子专用设备工业协会统计的数据包括集成电路、LED、面板、光伏等设备，据公司招股说明书估计，实际上2018年国内集成电路设备的国内市场自给率仅有5%左右，在全球市场仅占1-2%，技术含量最高的集成电路前道设备市场自给率更低。国内设备市场仍主要由美国应用材料、美国泛林半导体、日本东京电子、日本爱德万、美国科天等国外知名企业所占据。集成电路设备是集成电路产业发展的重要基石，专用设备的大量依赖进口不仅严重影响我国集成电路的产业发展，也对我国电子信息安全造成重大隐患。但同时，目前中国本土半导体设备产业中也已经涌现出一批优秀企业，国产半导体设备逐渐呈现谱系化发展，其中在细分领域走在国内前列的企业产品布局如下：

刻蚀设备领域是国产化前沿阵地，近年国内技术发展迅速，中微公司、北方华创已逐步形成了具备一定进口替代能力的刻蚀产品体系。中微公司的刻蚀设备虽然在销售规模上离全球半导体设备巨头尚有一定差距，但其部分技术水平和应用领域已达到国际同类产品的标准，并已应用于全球最先进的7纳米和5纳米生产线。

五、中微公司深耕海内外一线芯片制造企业，国产化优势正逐步显现

公司产品已经成功进入了海内外知名芯片制造企业的供应链体系。公司2016~2018年前五名客户包括台积电、中芯国际、海力士、华力微电子、联华电子、长江存储、三安光电、华灿光电、乾照光电、璨扬光电等。2016~2018年公司前五名客户收入占当期营业收入比重分别为85.74%、74.52%和60.55%，占比逐年降低，但客户集中度仍然较高。

公司不存在向单个客户销售比例超过公司当年销售总额50%或严重依赖少数客户的情况。公司的等离子体刻蚀设备已广泛应用于国际先进的14纳米、7纳米和5纳米生产线；由于公司开发出与美国设备公司具有同等质量和相当数量的等离子体刻蚀设备并实现量产，美国商务部在2015年宣布解除了对我国等离子体刻蚀设备多年的出口管制。截至2018年末，中微公司累计已有1100多个反应台服务于国内外40余条先进芯片生产线。

公司在国内刻蚀设备市场中已然占据一定份额。据公司招股说明书，2017~2018年两家国内知名存储芯片制造企业采购的刻蚀设备台数订单份额中公司分别占比达15%、17%。公司自主研发的刻蚀设备正逐步打破国际领先企业在国内市场的垄断，已被海内外主流集成电路厂商接受。

六、2020年或是半导体设备产业转机之年，公司迎来加速成长契机

全球半导体、半导体设备行业景气度与全球GDP增速相关性较高，但波动幅度更大。半导体行业虽然有科技革命驱动，但也会受到全球经济的影响而出现周期性波动。通过数据，我们可以发现2005~2018的十几年里，半导体及设备市场规模波动性较大，且与全球经济的景气度密切相关。

全球及中国半导体市场需求或已进入筑底阶段。2019年来受全球宏观经济承压、消费电子下游需求减弱等因素影响，国内外半导体市场销售额均出现了同比下滑。据SEMI数据，全球、中国市场单月销售额分别于2019年4月、2月跌至近两年最低点，此后均进入环比回升通道，截至2019年11月单月销售仍明显低于上年同期，但月度同比增速的下滑幅度已经开始不断收窄。受益于5G、物联网（IoT）、人工智能（AI）等新一轮技术变革所带来的增量需求，我们认为2020年半导体下游需求具备复苏条件。

部分主流晶圆厂资本支出及北美半导体设备制造商销售情况均已出现复苏迹象：

• 1）晶圆厂资本开支是半导体设备需求的直接影响因素，2018年台积电、中芯国际等晶圆厂资本支出均较上年同期有所下滑，但从2019年前三季度来看，上述企业的资本支出已出现明显同比增长，台积电、中芯国际增幅分别达44%、11%。据IC Insights预测，三星、台积电2019Q4单季资本支出有望创下历史新高。
• 2）自2019年4月以来，北美半导体设备企业出货金额的同比下滑幅度一直呈现收窄趋势，10、11、12月同比增速转正并不断加速，分别达3%、9%、18%，北美是全球半导体设备龙头企业最为集中的区域，因此北美半导体设备企业出货金额同比恢复正增长一定程度上也反映了全球设备需求的好转。
• 3）与北美半导体设备企业出货变化趋势接近，全球薄膜沉积、刻蚀设备龙头应用材料、泛林半导体单季收入同比变化幅度在2019Q2跌至底部，2019Q3同比变化率均进入了回升阶段。

逆周期投资强化中国设备市场韧性，国产半导体设备产业向上拐点到来

受益于晶圆厂建设快速推进，2021年中国大陆半导体设备市场规模有望跃居全球之首。2008~2018年，全球半导体设备市场的地区分布不断变化。2016年中国台湾以122亿美元市场规模位居榜首，2018年韩国则以177亿美元设备销售跃居第一，中国大陆、中国台湾分别以131、102亿美元紧随其后。据SEMI于2019年12月的最新预测，2019~2021年韩国、中国大陆、中国台湾将分列世界前三大设备市场，2021年中国大陆有望升至全球最大设备市场。值得关注的是，作为全球半导体最具活力和发展前景的市场区域之一，中国大陆市场的全球比重总体呈显著上升趋势，由2005年的4%提高到2018年的20%，据SEMI预测，2019、2020、2021年中国市场的全球占比有望提升到22%、25%、25%。

受益于全球半导体设备需求复苏和中国本土晶圆厂产能扩张、技术进步所带来的进口替代机遇，我们认为中国半导体设备市场及本土企业的向上拐点或已到来，且成长韧性强于全球，2020、2021年有望实现领先于海外的更快增长。据SEMI预测，在经历了2016~2018年的高速增长后，2019年全球半导体设备销售规模或面临收缩，为576亿美元/yoy-11%，2020年有望受益于存储器资本支出增长和中国大陆新项目推动，回升至608亿美元/yoy+6%。相比于全球市场，2005~2018年中的多数年份中国市场实现了更快增长，SEMI预计2019年中国大陆市场回调至129亿美元/yoy-2%，下滑幅度小于全球市场，2020、2021年达149亿美元/yoy+16%和164亿美元/yoy+10%，增速高于全球市场。

七、2020~21年中国大陆刻蚀设备市场或达29/32亿美元，公司成长空间广阔

半导体设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，据SEMI数据，2017年晶圆制造设备的市场规模占比均为半导体设备整体市场规模的81%。晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等十多类，其合计投资总额通常占整个晶圆厂投资总额的75%左右，其中刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。据SEMI统计，2017年全球晶圆制造设备销售金额占比中刻蚀设备、光刻设备和CVD设备分别占晶圆制造设备价值量约24%、23%和18%。

根据上述比例对中国大陆刻蚀设备的需求空间进行估算：据SEMI于2019年12月发布的最新预测，2019~2021年全球半导体设备销售额预计分别为576、608、668亿美元，其中中国大陆市场销售约为129、149、164亿美元。我们假设2019~2021年晶圆制造设备占半导体设备销售的份额保持81%，其中各类细分设备与2017年结构保持一致，则可估算得2019~2021年中国大陆半导体刻蚀设备市场规模分别为25、29、32亿美元，折合人民币176、203、224亿元（以7.0汇率折算）。

八、LED新技术和应用方向的发展或将催生MOCVD设备新需求

LED产业链由衬底加工、LED 外延片生产、芯片制造和器件封装组成。该产业链中主要涉及的设备包括：衬底加工需要的单晶炉、多线切割机；制造外延片需要的MOCVD设备；制造芯片需要的光刻、刻蚀、清洗、检测设备；封装需要的贴片机、固晶机、焊线台和灌胶机等。MOCVD设备是LED生产制造工艺的核心的设备。LED外延片的制备是LED芯片生产的重要步骤，与集成电路在多种核心设备间循环的制造工艺不同，主要通过MOCVD单种设备实现。据公司招股说明书，MOCVD设备作为LED制造中最重要的设备，其采购金额一般占LED生产线总投入的一半以上，因此MOCVD设备的数量成为衡量LED制造商产能的直观指标。

2017年以来公司MOCVD设备逐步打破国际企业的垄断，目前已在行业领先客户生产线上大规模投入量产，成为世界排名前列、国内占领先地位的氮化镓基LED MOCVD设备供应商。2017年以前MOCVD设备主要由维易科和爱思强两家国际厂商垄断。公司从2010年开始开发用于LED外延片加工中最关键的设备——MOCVD设备。公司已开发了三代MOCVD设备，可用于蓝绿光LED、功率器件等加工，包括：第一代设备Prismo D-Blue、第二代设备Prismo A7及正在开发的第三代30英寸大尺寸设备。公司自主研发的MOCVD设备已被三安光电、华灿光电、乾照光电、璨扬光电等多家与公司紧密合作的一流LED外延片及芯片制造厂商大批量采购。

公司在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据主导地位，同时布局和开发更加前沿的设备和技术。公司的Prismo A7设备技术实力突出，已在全球氮化镓基LED MOCVD市场中占据领先地位。根据IHS Markit的统计，2018年中微公司的MOCVD占据全球氮化镓基LED用MOCVD新增市场的41%；尤其在2018年下半年，中微公司的MOCVD更是占据了全球新增氮化镓基LED MOCVD设备市场的60%以上。公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。同时，公司正在开发更大尺寸MOCVD设备，将有助于产业的进一步发展。制造红黄光LED、紫外光LED、功率器件等都需要MOCVD设备，这些设备还有待进一步开发。Mini LED和Micro LED可能带来的显示器件革命孕育着更大的市场机会。公司正在研发MOCVD设备也覆盖了紫外光LED、Mini LED市场，与产业发展进一步融合。

八、盈利预测与估值讨论

预计2019~2021年公司整体毛利率分别为37.0%、40.2%、40.9%。我们认为2019~2021年是公司刻蚀设备加快实现国产化的关键时期，随着公司销售规模、产品品类的不断扩张和下游客户及刻蚀产品在晶圆厂产线工序应用范围的不断拓展，公司与海外龙头企业的竞争或将较为激烈，性价比的竞争难以避免，我们认为2019~2021年公司刻蚀设备的毛利率或将小幅下降，预计2019~2021年毛利率分别为47.0%、46.0%、45.0%（2016~2018年公司刻蚀设备收入规模尚小，部分客户资本开支波动对公司收入、毛利率扰动过大，我们认为随着收入规模的扩张和客户范围的不断拓宽，公司毛利率波动幅度有望减弱）。公司在MOCVD设备领域已经形成了较强的竞争地位，但竞争仍然激烈，2018年为进一步扩大市场份额和提升销售额，公司策略性地降低产品销售价格，致2018年毛利率明显低于2016、2017年水平，考虑到2019~2021年下游整体扩产节奏偏弱，我们认为2019~2021年毛利率仍将保持在26.3%的相对较低水平（虽然我们预计2020、2021年低于2018年收入规模，但我们认为在未来的产品定价中公司作为行业领军者仍将保留合理的利润率，预计毛利率空间不会随着收入减少而进一步压缩）。备品备件、设备维护与公司已销售设备相关度较高，我们认为2019~2021年毛利率将分别保持在37.3%、65.2%，与2018年基本持平。

考虑公司日益提升的国际竞争力和半导体设备产业需求复苏、本土晶圆制造企业扩产及技术成熟、5G产业发展为公司带来的新机遇，我们预计公司2019~2021年收入为20.4、27.7、38.0亿元，归母净利润分别为1.84、2.55、3.62亿元，对应PE为594、428、302倍，对应PS为53、39、29倍。国内半导体设备可比公司2020年平均PS为10倍，平均PE为77倍。海外半导体设备可比公司2020年平均PS为5倍，平均PE为22倍