Anandtech消息，在最近的一次财报电话会议上，美光表示今年晚些时候将推出其首款HBM DRAM方案。HBM（High Bandwith Memory）适用于需要^ ! M P e C高内存带宽的应用3 Q Q J W / W场景，比如旗舰级的GPU，还有网络处理器。
美光是第三家进入HBM市场的内存厂商，前两家是三星和海力士，作为为数不多的内存厂商，有理由相信HBM2肯定将出自这三家之手。
总体而言，虽然$ w L h [ T美光一直处于全球存储技术的前沿，U / v #但美光在HBM方面有些滞后。之前美光的主要精力在于GDDR5X上，以及使用了Hybird Memory Cube（HMC）的快速堆叠内存上。
2O } D ~ z R 8 % 011年，美光在与三星和IBM的d H [ U } ; -共同努力下推出了HMC，HMC是一种类似堆叠 O W a 0 g 0 c o式的DRAM，主要用于对内存带宽有特别需求的应用，特点是d C E | 0 6 p J宽度总线低但是数据传输d h E速率极高，带宽远远高于当时主流的DDR3。
很明显，HBM和HMC是竞争关系，HMC在市场确实有一些应用，比如在加速器和超级计算机* D r - x等产品中。不过，现在看来，HMC还是输给了用的更& v c E a L G |广泛的HBM/HBM2。
美光在2018年放弃了HMC，转而支持GDDR6和HBM。
兜兜转转，美光用了两年时间终于开发出了H0 o l J (MB2内存设备，2020年将正式推出。目前，美光还没有具体说这个产品的详l = L G细参数。
不过，可以肯定的是，它将会0 f S i . ? r ^采用第三代的10nm制程技术，将会在性能和容量方面与三星和海力士一较高下。
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